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分立半导体

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描述
产品详情
  • RMB4.515
    个 (在毎卷:2000)
Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=40 V, 180 A, DPAK (TO-252)封装, 贴片, 3引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流180 A
  • 最大漏源电压40 V
  • 系列HEXFET
  • 封装类型DPAK (TO-252)
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB9.422
    /个 (每包:5个)
Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=40 V, 180 A, DPAK (TO-252)封装, 贴片, 3引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流180 A
  • 最大漏源电压40 V
  • 系列HEXFET
  • 封装类型DPAK (TO-252)
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  • RMB23.26
    /个 (每包:2个)
Infineon N沟道增强型MOS管 StrongIRFET系列, Vds=60 V, 240 A, D2PAK-7封装, 贴片, 7引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流240 A
  • 最大漏源电压60 V
  • 封装类型D2PAK-7
  • 系列StrongIRFET
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  • RMB0.523
    /个 (每包:100个)
Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=60 V, 300 mA, SOT-23封装, 贴片, 3引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流300 mA
  • 最大漏源电压60 V
  • 系列OptiMOS
  • 封装类型SOT-23
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  • RMB0.308
    个 (在毎卷:3000)
Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=60 V, 300 mA, SOT-23封装, 贴片, 3引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流300 mA
  • 最大漏源电压60 V
  • 封装类型SOT-23
  • 系列OptiMOS
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  • RMB15.185
    个 (在毎卷:1000)
Infineon P沟道增强型MOS管 OptiMOS P系列, Vds=40 V, 180 A, D2PAK (TO-263)封装, 贴片, 7引脚
  • 通道类型P
  • 最大连续漏极电流180 A
  • 最大漏源电压40 V
  • 封装类型D2PAK (TO-263)
  • 系列OptiMOS P
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  • RMB21.841
    Each (On a Tape of 10)
Infineon P沟道增强型MOS管 OptiMOS P系列, Vds=40 V, 180 A, D2PAK-7封装, 贴片, 7引脚
  • 通道类型P
  • 最大连续漏极电流180 A
  • 最大漏源电压40 V
  • 封装类型D2PAK-7
  • 系列OptiMOS P
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  • RMB9.808
    /个 (每包:5个)
Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=80 V, 55 A, TDSON封装, 贴片, 8引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流55 A
  • 最大漏源电压80 V
  • 系列OptiMOS 3
  • 封装类型TDSON
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  • RMB4.244
    个 (在毎卷:5000)
Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=80 V, 55 A, TDSON封装, 贴片, 8引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流55 A
  • 最大漏源电压80 V
  • 系列OptiMOS 3
  • 封装类型TDSON
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  • RMB18.673
    毎管:50 个
Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 65 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流65 A
  • 最大漏源电压200 V
  • 系列HEXFET
  • 封装类型TO-220AB
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  • RMB21.41
Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 65 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流65 A
  • 最大漏源电压200 V
  • 系列HEXFET
  • 封装类型TO-220AB
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  • RMB13.33
    /个 (每包:10个)
Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=80 V, 100 A, TDSON封装, 贴片, 8引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流100 A
  • 最大漏源电压80 V
  • 系列OptiMOS 3
  • 封装类型TDSON
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  • RMB10.222
    个 (在毎卷:5000)
Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=80 V, 100 A, TDSON封装, 贴片, 8引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流100 A
  • 最大漏源电压80 V
  • 封装类型TDSON
  • 系列OptiMOS 3
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  • RMB10.60
    /个 (每包:10个)
Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 5系列, Vds=60 V, 100 A, TDSON封装, 贴片, 8引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流100 A
  • 最大漏源电压60 V
  • 系列OptiMOS 5
  • 封装类型TDSON
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  • RMB10.587
    个 (在毎卷:5000)
Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 5系列, Vds=60 V, 100 A, TDSON封装, 贴片, 8引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流100 A
  • 最大漏源电压60 V
  • 系列OptiMOS 5
  • 封装类型TDSON
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  • RMB13.45
Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 110 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流110 A
  • 最大漏源电压55 V
  • 封装类型TO-247AC
  • 安装类型通孔
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  • RMB13.451
    毎管:25 个
Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 110 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流110 A
  • 最大漏源电压55 V
  • 封装类型TO-247AC
  • 安装类型通孔
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  • RMB0.357
    个 (在毎卷:3000)
Infineon P沟道增强型MOS管 SIPMOS系列, Vds=60 V, 170 mA, SOT-23封装, 贴片, 3引脚
  • 通道类型P
  • 最大连续漏极电流170 mA
  • 最大漏源电压60 V
  • 系列SIPMOS
  • 封装类型SOT-23
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  • RMB0.865
    /个 (每包:10个)
Infineon P沟道增强型MOS管 SIPMOS系列, Vds=60 V, 170 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 通道类型P
  • 最大连续漏极电流170 mA
  • 最大漏源电压60 V
  • 封装类型SOT-23
  • 安装类型贴片
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  • RMB0.624
    /个 (每包:250个)
Infineon P沟道增强型MOS管 SIPMOS系列, Vds=60 V, 170 mA, SOT-23封装, 贴片, 3引脚
  • 通道类型P
  • 最大连续漏极电流170 mA
  • 最大漏源电压60 V
  • 封装类型SOT-23
  • 系列SIPMOS
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