STMicroelectronics

分立半导体

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描述
产品详情
  • RMB8.824
    毎管:50 个
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 50 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP55NF06
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流50 A
  • 最大漏源电压60 V
  • 封装类型TO-220
  • 系列STripFET II
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB9.292
    /个 (每包:5个)
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 50 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP55NF06
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流50 A
  • 最大漏源电压60 V
  • 系列STripFET II
  • 封装类型TO-220
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB39.875
    /个 (每包:2个)
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=1500 V, 2.5 A, H2PAK-2, 贴片安装, 3引脚, STH3N150-2
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流2.5 A
  • 最大漏源电压1500 V
  • 系列MDmesh
  • 封装类型H2PAK-2
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB27.538
    个 (在毎卷:1000)
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=1500 V, 2.5 A, H2PAK-2, 贴片安装, 3引脚, STH3N150-2
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流2.5 A
  • 最大漏源电压1500 V
  • 系列MDmesh
  • 封装类型H2PAK-2
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB19.888
    /个 (每包:5个)
意法半导体 达林顿管, NPN三极管, 500 mA, PDIP封装, 通孔安装, 18引脚
  • 晶体管类型NPN
  • 最大连续集电极电流500 mA
  • 最大集电极-发射极电压50 V
  • 最大发射极-基极电压50 V
  • 封装类型PDIP
查看更多类似产品 达林顿管
  • RMB19.756
    毎管:20 个
意法半导体 电机驱动芯片, NPN三极管, 500 mA, PDIP封装, 通孔安装, 18引脚
  • 晶体管类型NPN
  • 最大连续集电极电流500 mA
  • 最大集电极-发射极电压50 V
  • 最大发射极-基极电压50 V
  • 封装类型PDIP
查看更多类似产品 达林顿管
  • RMB2.082
    /个 (每包:50个)
STMicroelectronics 1A 40V肖特基二极管, 通孔安装, DO-41封装, 2针, 1N5819RL
  • 安装类型通孔
  • 封装类型DO-41
  • 最大连续正向电流1A
  • 峰值反向重复电压40V
  • 二极管配置单路
查看更多类似产品 肖特基二极管和整流二极管
  • RMB13.955
    /个 (每包:2个)
STMicroelectronics 双向可控硅, 额定16A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, BTA16-600BRG
  • 额定平均通态电流16A
  • 安装类型通孔
  • 封装类型TO-220AB
  • 最大栅极触发电流100mA
  • 重复峰值反向电压600V
查看更多类似产品 双向可控硅
  • RMB0.554
    个 (在毎卷:5000)
STMicroelectronics 1A 40V肖特基二极管, 通孔安装, DO-41封装, 2针, 1N5819RL
  • 安装类型通孔
  • 封装类型DO-41
  • 最大连续正向电流1A
  • 峰值反向重复电压40V
  • 二极管配置单路
查看更多类似产品 肖特基二极管和整流二极管
  • RMB0.424
    个 (以毎袋:2000)
STMicroelectronics 1A 40V肖特基二极管, 通孔安装, DO-41封装, 2针, 1N5819
  • 安装类型通孔
  • 封装类型DO-41
  • 最大连续正向电流1A
  • 峰值反向重复电压40V
  • 二极管配置单路
查看更多类似产品 肖特基二极管和整流二极管
  • RMB2.112
    /个 (每包:5个)
STMicroelectronics 1A 40V肖特基二极管, 通孔安装, DO-204AL封装, 2针, 1N5819
  • 安装类型通孔
  • 封装类型DO-204AL
  • 最大连续正向电流1A
  • 峰值反向重复电压40V
  • 二极管配置单路
查看更多类似产品 肖特基二极管和整流二极管
  • RMB6.597
    毎管:50 个
意法半导体 达林顿晶体管, NPN三极管, 8 A, TO-220封装, , 通孔安装, 3引脚
  • 晶体管类型NPN
  • 最大连续集电极电流8 A
  • 最大集电极-发射极电压80 V
  • 最大发射极-基极电压5 V
  • 封装类型TO-220
查看更多类似产品 达林顿管
  • RMB3.827
    Each (On a Tape of 10)
  • RMB10.739
    毎管:50 个
STMicroelectronics 双向可控硅, 额定16A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, BTA16-600BWRG
  • 额定平均通态电流16A
  • 安装类型通孔
  • 封装类型TO-220AB
  • 最大栅极触发电流50mA
  • 重复峰值反向电压600V
查看更多类似产品 双向可控硅
  • RMB8.064
    /个 (每包:5个)
意法半导体 达林顿晶体管, NPN三极管, 8 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
  • 晶体管类型NPN
  • 最大连续集电极电流8 A
  • 最大集电极-发射极电压80 V
  • 最大发射极-基极电压5 V
  • 封装类型TO-220
查看更多类似产品 达林顿管
  • RMB2.592
    个 (在毎卷:2500)
  • RMB12.596
    /个 (每包:5个)
STMicroelectronics 双向可控硅, 额定16A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, BTA16-600BWRG
  • 额定平均通态电流16A
  • 安装类型通孔
  • 封装类型TO-220AB
  • 最大栅极触发电流50mA
  • 重复峰值反向电压600V
查看更多类似产品 双向可控硅
  • RMB735.369
    Each (In a Tray of 25)
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=125 V, 20 A, M174, 贴片安装, 4引脚, SD2931-10W
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流20 A
  • 最大漏源电压125 V
  • 封装类型M174
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB522.48
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=125 V, 20 A, M174, 贴片安装, 4引脚, SD2931-10W
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流20 A
  • 最大漏源电压125 V
  • 封装类型M174
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB6.111
    /个 (每包:25个)
STMicroelectronics PNP晶体管, SOT-223 (SC-73)封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流-500 mA, 最大集电极-发射电压-600 V
  • 晶体管类型PNP
  • 最大直流集电极电流-500 mA
  • 最大集电极-发射极电压-600 V
  • 封装类型SOT-223 (SC-73)
  • 安装类型贴片
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