英飞凌 CoolSiC 2000 V SiC 沟槽型 MOSFET，是一款专为高性能应用打造的前沿解决方案。

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英飞凌软开关 650 V 30 A 发射极控制型第 7 代硅二极管，采用 TO-247 直插式双引脚封装。

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英飞凌 TRENCHSTOP IGBT7 PR7，采用高爬电距离和电气间隙设计的 TO-247 三引脚封装，专为升压 PFC 阶段优化，适用于 RAC / CAC 以及 HVAC 应用。

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安森美的这款 MOSFET 是一种功率模块，包含一个 6 毫欧 / 1200 V 的碳化硅 (SiC) MOSFET 半桥和一个带有 HPS DBC 的热敏电阻，封装形式为 F2。

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安森美的碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术，相较于传统硅器件，具备更优异的开关性能和更高的可靠性。

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安森美的中功率通用型晶体管专为通用放大器应用而设计。

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意法半导体的晶体管采用先进的平面工艺制造，结合‘基岛’布局设计，并集成单片达林顿结构，确保高增益性能和优异的电流放大能力，适用于高可靠性功率放大应用。

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意法半导体的 SLLIMM（小型低损耗智能模压模块）以紧凑、高性能的设计，为交流电机驱动提供简单且坚固的解决方案。

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ROHM 的肖特基二极管专为高可靠性应用设计，如开关电源和反接保护。

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ROHM 的 TVS 二极管专为电子设备的 ESD 防护而设计，具备高浪涌耐受能力，可有效防止电压尖峰造成的损害。

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Semikron 的 SiC MOSFET WS 采用三电平 1200V 平面 Gen3 设计，额定电流 134A，并集成 1200V 第七代 IGBT M7，以提升整体性能。

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Vishay 的标准恢复二极管专为工业级应用设计，额定电流可达 85A，提供引线型版本，并支持最高 1600V VRRM 电压等级。

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该系列 T 模块采用快速恢复功率二极管，单二极管配置。半导体器件与金属基板电气隔离，可实现共用散热器并构建紧凑型组件。

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Semikron 的高电流整流器二极管封装在标准螺柱安装箱中。 由于设备与散热片之间极佳的热耦合，螺柱安装可在高工作电流下提供高可靠性。 这些二极管的电压额定值高达 1700 V，适用于大多数高功率整流应用。 提供螺柱阳极和螺柱阴极二极管配置。

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Vishay 硅胶片连接二极管VS-T70HF系列 t 模块使用标准恢复功率整流器二极管。半导体与金属基座电气隔离、允许构建常见散热器和紧凑型组件。应用包括电源、电池充电、电焊机、电动机控制和一般工业电流整流。

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这款高压 MOSFET 专为电力电子应用而设计。它采用 N 沟道配置，可在各种环境下提供稳定的性能。它能够处理 47A 的连续漏极电流，可用于多种工业和自动化用途，确保开关任务的可靠性和有效性。

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该模块集成两颗独立二极管，具备 3000V 隔离电压、极短恢复时间和软恢复特性，确保高频开关应用中的高效性能。广泛应用于 开关电源（SMPS）、UPS、电机控制、感应加热及超声波设备，具有 低噪声、节省空间和重量、优异的温度及功率循环能力，是工业电源和高频转换器的理想选择。

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T 模块系列在单二极管配置中使用快速恢复功率二极管。半导体与金属基座电气隔离，因此可以构建通用散热器和紧凑型组件。这些单二极管模块可与闸流晶体管模块一起用作续流二极管。应用包括自整流变频器、直流斩波器、电动机控制、电感加热和电子电焊机。这些模块适用于需要快速恢复特性的应用和一般电源开关应用。

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Vishay 硅胶片连接二极管VS-T70HF40系列 t 模块使用标准恢复功率整流器二极管。半导体与金属基座电气隔离、允许构建常见散热器和紧凑型组件。应用包括电源、电池充电、电焊机、电动机控制和一般工业电流整流。

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Vishay单相整流桥，额定电流25A/35A，反向电压1400V至1600V，采用高导热绝缘封装，具备优异功率密度和可靠性能。通用三向端子设计，安装灵活，适用于工业和消费级电源、仪器设备等场景，符合RoHS标准并通过UL认证，是高效整流的理想选择。

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该系列单相桥式整流模块，额定电流25A至35A，反向电压范围200V至1200V，采用高导热绝缘封装，具备玻璃钝化芯片和优异功率密度。通用三向端子设计，安装灵活，适用于工业电源、UPS、仪器设备等场景，符合RoHS标准并通过UL认证，是高效整流的理想选择。

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这款产品是高性能三相桥式整流模块，采用DCB陶瓷封装，具备极低正向压降和漏电流，支持高温和功率循环，确保可靠运行。适用于直流电源设备、PWM逆变器、电池供电及电机驱动等应用。模块符合RoHS标准，安装简便，底板铜材质隔离设计，适合工业高效整流场景。

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