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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流	75 A
	最大集电极-发射极电压	1200V
	最大栅极发射极电压	±20V
	晶体管数	1
	最大功率耗散	630 W
	封装类型	PG-TO247-3-plus-N
	配置	单集电极、单发射极、单栅极
	安装类型	通孔
	通道类型	N
	引脚数目	3

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 75 A
	最大集电极-发射极电压 1200V
	最大栅极发射极电压 ±20V
	晶体管数 1
	最大功率耗散 630 W
	封装类型 PG-TO247-3-plus-N
	配置单集电极、单发射极、单栅极
	安装类型通孔
	通道类型 N
	引脚数目 3

Datasheet - IGQ75N120S7XKSA1

英飞凌 IGBT 可在 1200 V 的电压下高效工作，同时确保在要求苛刻的应用中保持稳定的性能。该器件采用最先进的沟槽技术，可处理高达 75 A 的大电流，是工业电源和太阳能逆变器等可再生能源系统的理想之选。精心的设计确保了低饱和电压和显著的 dv/dt 可控性，提高了电源转换系统的可靠性和效率。这款 IGBT 非常注重耐用性，已根据严格的 JEDEC 标准通过工业应用验证，确保满足现代电子产品的严格要求。

采用沟槽技术设计，提高效率
坚固耐用的短路保护确保性能可靠
温度范围广，适合各种应用
降低开关损耗，加强热管理
针对高性能工业用途进行了优化
全面的 PSpice 模型便于集成
栅极电荷低，开关速度更快

Infineon N沟道IGBT, Ic 75 A, VCEO 1200V, 3针, PG-TO247-3-plus-N, 通孔安装