Toshiba N沟道IGBT, Ic 15 A, VCEO 600 V, 3针, TO-220SIS, 通孔安装, 100kHz

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RS 库存编号:
796-5046
制造商零件编号:
GT15J341
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

最大连续集电极电流

15 A

最大集电极-发射极电压

600 V

最大栅极发射极电压

±25V

最大功率耗散

30 W

封装类型

TO-220SIS

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

开关速度

100kHz

晶体管配置

单

尺寸

10 x 4.5 x 15mm

最高工作温度

+150 °C

IGBT 分立器件，东芝


该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



IGBT 分立件和模块，Toshiba


绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。