STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=750 V, Id=30 A, 7针, HU3PAK, SCT060HU系列

RS 库存编号:: 152-111
制造商零件编号:: SCT060HU75G3AG
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=750 V, Id=30 A, 7针, HU3PAK, SCT060HU系列

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RS 库存编号:: 152-111
制造商零件编号:: SCT060HU75G3AG
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	30A
	最大漏源电压 Vd	750V
	包装类型	HU3PAK
	系列	SCT060HU
	安装类型	表面
	引脚数目	7
	最大漏源电阻 Rd	58mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	29nC
	最大栅源电压 Vgs	18V
	正向电压 Vf	3V
	最高工作温度	175°C
	长度	14.1mm
	宽度	19mm
	标准/认证	RoHS
	高度	3.6mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 30A
	最大漏源电压 Vd 750V
	包装类型 HU3PAK
	系列 SCT060HU
	安装类型表面
	引脚数目 7
	最大漏源电阻 Rd 58mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 29nC
	最大栅源电压 Vgs 18V
	正向电压 Vf 3V
	最高工作温度 175°C
	长度 14.1mm
	宽度 19mm
	标准/认证 RoHS
	高度 3.6mm
	汽车标准否

Datasheet - SCT060HU75G3AG

COO (Country of Origin):: JP

意法半导体碳化硅功率 MOSFET 器件采用意法半导体先进的创新型第三代 SiC MOSFET 技术开发而成。该设备在整个温度范围内具有非常低的 RDS(接通),结合低电容和非常高的切换操作,可在频率、能效、系统尺寸和重量降低方面提高应用性能。

通过 AEC-Q101 认证

高速开关性能

速度极快、坚固耐用的本体二极管

源传感引脚可提高效率

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=750 V, Id=30 A, 7针, HU3PAK, SCT060HU系列

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