STMicroelectronics MOS管, Vds=650 V, 60A, HU3PAK, 贴片安装, 7引脚, SCT0系列
- RS 库存编号:
- 330-233
- 制造商零件编号:
- SCT027HU65G3AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 330-233
- 制造商零件编号:
- SCT027HU65G3AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续漏极电流 | 60A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 封装类型 | HU3PAK | |
| 系列 | SCT0 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续漏极电流 60A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
封装类型 HU3PAK | ||
系列 SCT0 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 7 | ||
晶体管材料 硅 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
STMicroelectronics 碳化硅功率 MOSFET 器件采用 ST 的先进、创新第 3 代 SiC MOSFET 技术开发。该设备在整个温度范围内具有非常低的 RDS(接通),结合低电容和非常高的切换操作,可在频率、能效、系统尺寸和重量降低方面提高应用性能。
符合 AEC-Q101 标准
整个温度范围内的 RDS(on) 都非常低
高速开关性能
速度极快、坚固耐用的本征体二极管
源传感引脚，提高效率
整个温度范围内的 RDS(on) 都非常低
高速开关性能
速度极快、坚固耐用的本征体二极管
源传感引脚，提高效率