Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 6 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, Si2338DS系列

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165-6909
制造商零件编号:
SI2338DS-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

6A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

Si2338DS

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.033Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最大功耗 Pd

2.5W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

4.2nC

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

长度

3.04mm

标准/认证

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

宽度

1.4 mm

高度

1.02mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor