Vishay P型沟道增强型功率 MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=2.3 A, 6针, TSOP, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 165-6919
制造商零件编号:: SI3993CDV-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay P型沟道增强型功率 MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=2.3 A, 6针, TSOP, TrenchFET系列

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RS 库存编号:: 165-6919
制造商零件编号:: SI3993CDV-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	P型
	产品类型	功率MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	2.3A
	最大漏源电压 Vd	30V
	包装类型	TSOP
	系列	TrenchFET
	安装类型	表面
	引脚数目	6
	最大漏源电阻 Rd	188mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	5.2nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	1.4W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	晶体管配置	隔离式
	最高工作温度	150°C
	长度	3.1mm
	宽度	1.7mm
	标准/认证	No
	高度	1mm
	每片芯片元件数目	2
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 P型
	产品类型功率MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 2.3A
	最大漏源电压 Vd 30V
	包装类型 TSOP
	系列 TrenchFET
	安装类型表面
	引脚数目 6
	最大漏源电阻 Rd 188mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.2nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 1.4W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	晶体管配置隔离式
	最高工作温度 150°C
	长度 3.1mm
	宽度 1.7mm
	标准/认证 No
	高度 1mm
	每片芯片元件数目 2
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: CN

Vishay TrenchFET系列功率MOSFET，30V漏源电压，2.3A连续漏极电流 - SI3993CDV-T1-GE3

该功率MOSFET是一款表面贴装P沟道晶体管，专为紧凑型电子组件的开关和负载管理功能而设计。它采用薄型 TSOP 封装，提供隔离式晶体管配置，适用于在30V电压环境中需要中等电流处理能力和受控栅极驱动的应用。

特性和优点：

• P通道增强模式可实现简单的高侧切换
• 峰值连续漏极电流2.3A，支持中等负载
• 导通电阻低至188mΩ，可降低导通损耗
• 典型栅极电荷为5.2nC，可实现快速栅极转换
• 最大功耗1.4W，可有效管理小型电路板的热负载
• 六针表面贴装封装，可实现紧凑的PCB布局

应用

• 适用于电池供电高侧开关电路
• 适用于DC负载断开和反向电流阻断
• 与消费设备的电源管理模块配合使用
• 可用于紧凑型元件的水平移位栅极控制

我应考虑哪些栅极驱动限制？

该器件可在栅极和源之间接受高达 ±20V 的电流，因此栅极驱动电路必须将 Vgs 保持在该范围内以防止栅极应力。

它在运行期间对极端温度的耐受性如何？

它的工作温度范围宽达-55°C至150°C，允许在温差剧烈的环境中使用。

该芯片包含多少个晶体管元件？封装引脚数是多少？

该芯片集成了两个元件，封装包含六个用于电路板连接的引脚。

最大漏源电压是多少？这对电路设计有何影响？

该MOSFET的漏源额定电压为30V，因此应在电源轨和瞬态条件均低于该阈值的情况下使用。