Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=-8 V, -6 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, Si2329DS系列
- RS 库存编号:
- 256-7346
- 制造商零件编号:
- SI2329DS-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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RMB6,138.00
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-7346
- 制造商零件编号:
- SI2329DS-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -6A | |
| 最大漏源电压 Vd | -8V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | Si2329DS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.12Ω | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19.3nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 5V | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 高度 | 1.12mm | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id -6A | ||
最大漏源电压 Vd -8V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 Si2329DS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.12Ω | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19.3nC | ||
最大栅源电压 Vgs 5V | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 1.4mm | ||
高度 1.12mm | ||
长度 3.04mm | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Si2329DS系列MOSFET,-8V最大漏源电压,0.12Ω最大漏源电阻 - SI2329DS-T1-GE3
此 p 通道 MOSFET 可用作紧凑型表面安装开关设备,适用于低电压电子产品。它专为需要在紧凑布局中实现高效P通道控制的应用而设计,并在典型的P型开关的负排放源电压环境中运行。该设备采用三引线 SOT-23 封装,适用于密集电路板组件。
特性和优点：
• 0.12Ω 的低导通电阻,可降低传导损耗
• 额定连续漏电流为 6A,支持中等负载电流
• 最大漏源电压为-8V,可实现低电压切换
• 栅极容差高达5V,可实现直接的栅极驱动兼容性
• 典型栅极电荷为 19.3nC,可提供快速切换,驱动能量更低
• 功耗 2.5 W,可在负载下持续切换
• 额定连续漏电流为 6A,支持中等负载电流
• 最大漏源电压为-8V,可实现低电压切换
• 栅极容差高达5V,可实现直接的栅极驱动兼容性
• 典型栅极电荷为 19.3nC,可提供快速切换,驱动能量更低
• 功耗 2.5 W,可在负载下持续切换
应用
• 适用于电源导轨中的高侧负载切换
• 电池管理和保护电路的理想之选
• 与混合电压控制系统中的电平转换器配合使用
• 可用于极性反接或反向电流保护
• 适用于自动化设备的紧凑型配电模块
• 电池管理和保护电路的理想之选
• 与混合电压控制系统中的电平转换器配合使用
• 可用于极性反接或反向电流保护
• 适用于自动化设备的紧凑型配电模块
为实现可靠运行,可预期的工作温度范围是多少?
该组件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,可在冷启动和高温环境中使用。
封装选择对热性能有何影响?
SOT-23 表面贴装封装和 2.5 W 额定耗散功率需要精心的 PCB 热设计和热通道,以在连续负载下保持接点温度。
对于密集组件,有哪些机械尺寸要求?
该设备的最小高度为 1.12 mm,平面尺寸小,可实现紧凑的组件放置,同时保持三针连接简便。
符合法规制造的标准或材料要求是什么?
该组件符合 RoHS 标准,并符合 IEC 61249-2-21 材料规格,兼容印刷电路层压板。