Infineon MOS管, Vds=650 V, 4.5 A, PG-TO 252-3, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 258-3856P
- 制造商零件编号:
- IPD60R2K0PFD7SAUMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 95 | RMB2.404 |
| 100 - 245 | RMB2.284 |
| 250 - 495 | RMB2.124 |
| 500 + | RMB1.934 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3856P
- 制造商零件编号:
- IPD60R2K0PFD7SAUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续漏极电流 | 4.5 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 封装类型 | PG-TO 252-3 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续漏极电流 4.5 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
封装类型 PG-TO 252-3 | ||
安装类型 贴片 | ||
Infineon 600V CoolMOS PFD7 超级接线 MOSFET 补充了 CoolMOS 7,适用于消费者应用。CoolMOS PFD7 超级接线 MOSFET 采用 TO 252 DPAK 封装,具有 2,000mΩ 的 RDS(接通),从而实现低切换损耗。实施的快速主体二极管可确保坚固的设备,从而减少客户的材料成本。此外,我们提供行业领先的 SMD 封装,有助于节省印刷电路板空间并简化制造。此产品系列定制用于超高功率密度以及最高效率设计。该产品主要用于超高密度充电器、适配器和低功率电动机驱动器。
宽范围的 RDS(接通)值
出色的转换坚固性
低 EMI
广泛的封装组合
BOM 降低成本和易于制造
坚固性和可靠性
易于选择正确的部件,用于设计精细调整
出色的转换坚固性
低 EMI
广泛的封装组合
BOM 降低成本和易于制造
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易于选择正确的部件,用于设计精细调整