Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=1.15 A, 3针, SOT-23, Si2328DS系列
- RS 库存编号:
- 710-3266
- 制造商零件编号:
- SI2328DS-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
暂时无法供应
抱歉，我们不知道何时会有货
- RS 库存编号:
- 710-3266
- 制造商零件编号:
- SI2328DS-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.15A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | Si2328DS | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 250mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 730mW | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.3nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 1.15A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 Si2328DS | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 250mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 730mW | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.3nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.04mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.02mm | ||
宽度 1.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
相关链接
- Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 1.15 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2328DS-T1-E3, Si2328DS系列
- Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=1.15 A, 3针, SOT-23
- Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 6 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2338DS-T1-GE3, Si2338DS系列
- Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 5.9 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2374DS-T1-GE3, Si2374DS系列
- Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 5.8 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2366DS-T1-GE3, Si2366DS系列
- Vishay P型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=20 V, 3.8 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2367DS-T1-GE3, Si2367DS系列
- Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=-150 V, -530 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2325DS-T1-E3, Si2325DS系列
- Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 5.8 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2366DS-T1-GE3, Si2366DS系列