Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 3.6 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2304DDS-T1-GE3, Si2304DDS系列

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RS 库存编号:
812-3117
制造商零件编号:
SI2304DDS-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

3.6A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOT-23

系列

Si2304DDS

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

75mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

1.7W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

4.5nC

正向电压 Vf

0.8V

最高工作温度

150°C

高度

1.02mm

长度

3.04mm

标准/认证

No

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor