Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=5.9 A, 3针, SOT-23, Si2343CDS系列

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RS 库存编号:
812-3120
制造商零件编号:
SI2343CDS-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

5.9A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

Si2343CDS

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.045Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7nC

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

2.5W

最高工作温度

150°C

长度

3.04mm

高度

1.02mm

宽度

1.4mm

标准/认证

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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