Infineon P型沟道 增强型 功率晶体管, Vds=30 V, 90 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, OptiMOS P系列
- RS 库存编号:
- 753-3033P
- 制造商零件编号:
- IPD90P03P4L04ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 753-3033P
- 制造商零件编号:
- IPD90P03P4L04ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | 功率晶体管 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 90A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | OptiMOS P | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 125nC | |
| 最大功耗 Pd | 137W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 功率晶体管 | ||
最大连续漏极电流 Id 90A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 OptiMOS P | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 125nC | ||
最大功耗 Pd 137W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 6.22 mm | ||
高度 2.3mm | ||
长度 6.5mm | ||
汽车标准 AEC-Q | ||
Infineon OptiMOS™P P通道功率MOSFET
Infineon OptiMOS™ P通道功率MOSFET设计用于提供增强功能，以满足高质量性能要求。功能包括超低开关损耗，通态电阻，雪崩额定值以及通过AEC认证的汽车解决方案。应用包括DC-DC，电机控制，汽车和eMobility。
增强模式
耐雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀；符合RoHS标准
标准封装
OptiMOS™P通道系列：温度范围为-55°C至+175°C
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。