STMicroelectronics MJD112T4 晶体管, TO-252, 3引脚, IC 2 A NPN, VCEO 100 V, VCBO 100 V, 表面安装
- RS 库存编号:
- 151-413P
- 制造商零件编号:
- MJD112T4
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计 200 件 (以卷装提供)*
¥799.20
(不含税)
¥903.00
(含税)
有库存
- 另外 2,420 件在 2026年2月23日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 200 - 480 | RMB3.996 |
| 500 - 980 | RMB3.701 |
| 1000 - 1980 | RMB3.405 |
| 2000 + | RMB3.28 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-413P
- 制造商零件编号:
- MJD112T4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | 晶体管 | |
| 最大直流集电极电流 Idc | 2A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 100V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 晶体管配置 | NPN | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 100V | |
| 晶体管极性 | NPN | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 5V | |
| 最低工作温度 | -65°C | |
| 最大功耗 Pd | 20W | |
| 最小直流电流增益 hFE | 200 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 6mm | |
| 宽度 | 2.2 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 6.4m | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 晶体管 | ||
最大直流集电极电流 Idc 2A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 100V | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
晶体管配置 NPN | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 100V | ||
晶体管极性 NPN | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 5V | ||
最低工作温度 -65°C | ||
最大功耗 Pd 20W | ||
最小直流电流增益 hFE 200 | ||
引脚数目 3 | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 6mm | ||
宽度 2.2 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 6.4m | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 晶体管,此设备采用 Planar 技术制造,具有基座岛布局和单片 Darlington 配置。
良好的 hFE 线性
高 fT 频率
