Nexperia PNP三极管, UMT, IC -1 A, VCEO -60 V, VCBO 80 V, 185 MHz, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 485-353
- 制造商零件编号:
- PBSS5160U,115
- 制造商:
- Nexperia
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 485-353
- 制造商零件编号:
- PBSS5160U,115
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | -1 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | -60 V | |
| 封装类型 | UMT | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 最大功率耗散 | 415 mW | |
| 最小直流电流增益 | 200 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 80 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 最大工作频率 | 185 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 1 x 2.2 x 1.35mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 -1 A | ||
最大集电极-发射极电压 -60 V | ||
封装类型 UMT | ||
安装类型 贴片 | ||
最大功率耗散 415 mW | ||
最小直流电流增益 200 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 80 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
最大工作频率 185 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 1 x 2.2 x 1.35mm | ||
低饱和电压 PNP 晶体管
一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。
该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。
双极晶体管,Nexperia
