制造商编号

onsemi MJD45H11G 晶体管, TO-252, 3引脚, IC -8 A PnP, VCEO -80 V, VCBO -80 V, 表面安装

RS 库存编号:: 838-633
制造商零件编号:: MJD45H11G
制造商:: onsemi

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onsemi MJD45H11G 晶体管, TO-252, 3引脚, IC -8 A PnP, VCEO -80 V, VCBO -80 V, 表面安装

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RS 库存编号:: 838-633
制造商零件编号:: MJD45H11G
制造商:: onsemi

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	产品类型	晶体管
	最大直流集电极电流 Idc	-8A
	最大集电极-发射极电压 Vceo	-80V
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面安装
	晶体管配置	单
	最大集电极-基极电压 VCBO	-80V
	最小直流电流增益 hFE	40
	最大发射极-基极电压 VEBO	-5V
	最低工作温度	-55°C
	最大转换频率 ft	40MHz
	晶体管极性	PnP
	最大功耗 Pd	20mW
	引脚数目	3
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	系列	MJD45H
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 onsemi
	产品类型晶体管
	最大直流集电极电流 Idc -8A
	最大集电极-发射极电压 Vceo -80V
	包装类型 TO-252
	安装类型表面安装
	晶体管配置单
	最大集电极-基极电压 VCBO -80V
	最小直流电流增益 hFE 40
	最大发射极-基极电压 VEBO -5V
	最低工作温度 -55°C
	最大转换频率 ft 40MHz
	晶体管极性 PnP
	最大功耗 Pd 20mW
	引脚数目 3
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	系列 MJD45H
	汽车标准否

Datasheet - MJD45H11G

onsemi半导体器件为开关应用提供电源管理，确保在各类电路中实现可靠的性能表现。

支持高达80Vdc的集电极-发射极电压，适用于高强度应用

可提供高达8Adc的连续集电极电流，确保高效处理功率

具备低集电极-发射极饱和电压，提升了能效

设计采用互补对结构，简化了电路设计

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