onsemi , VCEO 50 V 套件, VCBO 50 V NPN 100 mA, 表面安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 145-4083
- 制造商零件编号:
- DTC114EET1G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | RMB0.191 | RMB573.00 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 145-4083
- 制造商零件编号:
- DTC114EET1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 套件 | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 50V | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 50V | |
| 晶体管极性 | NPN | |
| 最小直流电流增益 hFE | 35 | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 100mA | |
| 最大功耗 Pd | 338mW | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 50V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 0.25V | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 1.65mm | |
| 系列 | DTC114EE | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 标准/认证 | RoHS, Pb-Free | |
| 宽度 | 1.7 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 套件 | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 50V | ||
安装类型 表面 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 50V | ||
晶体管极性 NPN | ||
最小直流电流增益 hFE 35 | ||
最大连续集电极电流 Ic 100mA | ||
最大功耗 Pd 338mW | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 50V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 0.25V | ||
引脚数目 3 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 1.65mm | ||
系列 DTC114EE | ||
高度 0.9mm | ||
标准/认证 RoHS, Pb-Free | ||
宽度 1.7 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
双电阻器数字 NPN 晶体管，ON Semiconductor
数字晶体管，On Semiconductor
配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Standards
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。