Nexperia NPN数字晶体管, SOT-23 (TO-236AB), IC 600 mA, VCEO 40 V, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 153-2855
- 制造商零件编号:
- PBRN123ET,215
- 制造商:
- Nexperia
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- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 600 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 40 V | |
| 封装类型 | SOT-23 (TO-236AB) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 最大功率耗散 | 570 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大发射极-基极电压 | 10 V | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 3 x 1.4 x 1mm | |
| 底座发射器电阻器 | 2.2kΩ | |
| 典型电阻比 | 1 | |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kΩ | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 600 mA | ||
最大集电极-发射极电压 40 V | ||
封装类型 SOT-23 (TO-236AB) | ||
安装类型 贴片 | ||
最大功率耗散 570 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大发射极-基极电压 10 V | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 3 x 1.4 x 1mm | ||
底座发射器电阻器 2.2kΩ | ||
典型电阻比 1 | ||
典型输入电阻器 2.2 kΩ | ||
NPN 800 mA，40 V BISS RET，R1 = 2.2 kΩ、R2 = 2.2 kΩ，800 mA NPN 低 VCEsat 突破性小信号 (BISS) 带阻晶体管 (RET) 采用小型塑料封装。
800 mA 输出电流容量
低集电极-发射极饱和电压 VCEsat
高电流增益 hFE
减少元件总数
内置偏置电阻器
减少挑选和放置成本
简化电路设计
+-10 % 的电阻比率容差
符合 AEC-Q101
汽车和工业领域的数字应用
切换负载
中等电流外围驱动器
低集电极-发射极饱和电压 VCEsat
高电流增益 hFE
减少元件总数
内置偏置电阻器
减少挑选和放置成本
简化电路设计
+-10 % 的电阻比率容差
符合 AEC-Q101
汽车和工业领域的数字应用
切换负载
中等电流外围驱动器