Infineon BFP840FESDH6327XTSA1 晶体管, TSFP, 4引脚, IC 35 mA NPN, VCEO 2.25 V, VCBO 2.9 V, 表面安装

可享批量折扣

小计(1 包,共 20 件)*

¥40.00

(不含税)

¥45.20

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 160 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每包*
20 - 740RMB2.00RMB40.00
760 - 1480RMB1.941RMB38.82
1500 +RMB1.882RMB37.64

* 参考价格

Packaging Options:
RS 库存编号:
170-2364
制造商零件编号:
BFP840FESDH6327XTSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

晶体管

最大直流集电极电流 Idc

35mA

最大集电极-发射极电压 Vceo

2.25V

包装类型

TSFP

安装类型

表面

晶体管配置

最大集电极-基极电压 VCBO

2.9V

最大转换频率 ft

85GHz

最大功耗 Pd

75mW

最小直流电流增益 hFE

150

最低工作温度

-55°C

晶体管极性

NPN

引脚数目

4

最高工作温度

150°C

宽度

0.8 mm

高度

0.55mm

长度

1.4mm

标准/认证

No

系列

BFP840FESD

汽车标准

BFP840FESD 是高性能 HBT(异质结双极晶体管),专门设计用于 5-6 GHz WiFi 应用。该设备基于 Infineon 可靠的高音量 SiGe:C 技术。BFP840FESD 提供固有良好输入和输出功率匹配以及固有良好噪声匹配(5-6 GHz 时)。不使用有损外部匹配组件的同时噪声和功率匹配可使外部部件数量较少、噪声指数极佳且 WiFi 应用中的变换器增益非常高。

坚固的高性能低噪声放大器,基于 Infineon 可靠的高容量 SiGe:C 晶片技术

2 kV ESD 坚固性 (HBM),得益于集成保护电路

较高的最大射频输入功率:21 dBm

0.6 dB 最低噪声

26 dB 最大增益

5.5 GHz、25 mA 时具有 23.5 dBm OIP3 典型值

提供准确的 SPICE GP 型号,以在流程中实现有效的设计