Infineon NPN射频三极管, SOT-343, IC 40 mA, VCEO 3.25 V, VCBO 3.5 V、4.1 V, 60 GHz, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 170-2366
- 制造商零件编号:
- BFP842ESDH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 1500 + | RMB1.554 | RMB31.08 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 170-2366
- 制造商零件编号:
- BFP842ESDH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 40 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 3.25 V | |
| 封装类型 | SOT-343 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 最大功率耗散 | 120 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 3.5 V、4.1 V | |
| 最大工作频率 | 60 GHz | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 2 x 1.25 x 0.8mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 40 mA | ||
最大集电极-发射极电压 3.25 V | ||
封装类型 SOT-343 | ||
安装类型 贴片 | ||
最大功率耗散 120 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 3.5 V、4.1 V | ||
最大工作频率 60 GHz | ||
引脚数目 4 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
BFP842ESD 是高性能 HBT（异质结双极晶体管），专门设计用于 2.3 - 3.5 GHz LNA 应用。该设备基于 Infineon 可靠的高音量 SiGe:C 技术。BFP842ESD 提供固有良好输入功率匹配以及固有良好噪声匹配（介于 2.3 与 3.5 GHz 之间）。不使用有损外部匹配组件的同时噪声和功率匹配可使外部部件数量较少、噪声指数极佳且应用中的变换器增益较高。
坚固的极低噪声放大器，基于 Infineon 可靠的高容量
SiGe:C 技术
高端射频性能和坚固性的独特组合
高线性
高转换频率
变换器增益
特别适用于低电压应用
低功耗，特别适用于移动应用
易于使用的无铅和无卤工业标准封装（带可视引线）
SiGe:C 技术
高端射频性能和坚固性的独特组合
高线性
高转换频率
变换器增益
特别适用于低电压应用
低功耗，特别适用于移动应用
易于使用的无铅和无卤工业标准封装（带可视引线）