Infineon BFP842ESDH6327XTSA1 射频双极晶体管, SOT-343, 4引脚, IC 40 mA NPN, VCEO 3.25 V, VCBO 4.1 V, 表面安装

可享批量折扣

小计(1 包,共 20 件)*

¥33.04

(不含税)

¥37.34

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 20 个,准备发货
单位
每单位
每包*
20 - 740RMB1.652RMB33.04
760 - 1480RMB1.602RMB32.04
1500 +RMB1.554RMB31.08

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
170-2366
制造商零件编号:
BFP842ESDH6327XTSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

射频双极晶体管

最大直流集电极电流 Idc

40mA

最大集电极-发射极电压 Vceo

3.25V

包装类型

SOT-343

安装类型

表面安装

晶体管配置

最大集电极-基极电压 VCBO

4.1V

最大功耗 Pd

120mW

最大转换频率 ft

57GHz

晶体管极性

NPN

最低工作温度

-55°C

最大发射极-基极电压 VEBO

4.1V

引脚数目

4

最高工作温度

150°C

长度

2.1mm

系列

BFP842ESD

高度

1.3mm

标准/认证

JEDEC47/20/22

宽度

1.25 mm

BFP842ESD 是高性能 HBT(异质结双极晶体管),专门设计用于 2.3 - 3.5 GHz LNA 应用。该设备基于 Infineon 可靠的高音量 SiGe:C 技术。BFP842ESD 提供固有良好输入功率匹配以及固有良好噪声匹配(介于 2.3 与 3.5 GHz 之间)。不使用有损外部匹配组件的同时噪声和功率匹配可使外部部件数量较少、噪声指数极佳且应用中的变换器增益较高。

坚固的极低噪声放大器,基于 Infineon 可靠的高容量

SiGe:C 技术

高端射频性能和坚固性的独特组合

高线性

高转换频率

变换器增益

特别适用于低电压应用

低功耗,特别适用于移动应用

易于使用的无铅和无卤工业标准封装(带可视引线)