制造商编号

onsemi NPN三极管, TO-218, IC 30 A, VCEO 250 V, VCBO 200 V, 1 MHz, 通孔安装

RS 库存编号:: 184-0973
制造商零件编号:: MJH11020G
制造商:: onsemi

onsemi NPN三极管, TO-218, IC 30 A, VCEO 250 V, VCBO 200 V, 1 MHz, 通孔安装

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30 - 30	RMB23.452	RMB703.56
60 - 90	RMB22.983	RMB689.49
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RS 库存编号:: 184-0973
制造商零件编号:: MJH11020G
制造商:: onsemi

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	晶体管类型	NPN
	最大直流集电极电流	30 A
	最大集电极-发射极电压	250 V
	封装类型	TO-218
	安装类型	通孔
	最大功率耗散	150 W
	晶体管配置	单
	最大集电极-基极电压	200 V
	最大发射极-基极电压	5 V
	最大工作频率	1 MHz
	引脚数目	3
	每片芯片元件数目	1
	最高工作温度	+150 °C
	尺寸	15.2 x 4.9 x 20.35mm

	选择全部
	品牌 onsemi
	晶体管类型 NPN
	最大直流集电极电流 30 A
	最大集电极-发射极电压 250 V
	封装类型 TO-218
	安装类型通孔
	最大功率耗散 150 W
	晶体管配置单
	最大集电极-基极电压 200 V
	最大发射极-基极电压 5 V
	最大工作频率 1 MHz
	引脚数目 3
	每片芯片元件数目 1
	最高工作温度 +150 °C
	尺寸 15.2 x 4.9 x 20.35mm

Datasheet MJH11020G

COO (Country of Origin):: CN

复合晶体管双极功率晶体管设计用于通用放大器、低频开关和电机控制应用。

高直流电流增益 @ 10 ADC -
HFE = 400 分钟（所有类型）
集电极 - 发射极维持电压
VCEO) = 150 V 直流（最小值） MJH11018 、 17
VCEO(SUS) = 200 V 直流（最小值） - MJH11020 、 19
VCEO) = 250 V 直流（最小值） - MJH11022 、 21
低集电极-发射极饱和电压
VCE （ SAT ） = 1.2 V （典型） @ IC = 5.0 A
VCE （ SAT ） = 1.8 V （典型值） @ IC = 10 A
单片结构

onsemi NPN三极管, TO-218, IC 30 A, VCEO 250 V, VCBO 200 V, 1 MHz, 通孔安装

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。