onsemi NPN三极管, TO-218, IC 30 A, VCEO 250 V, VCBO 200 V, 1 MHz, 通孔安装
- RS Stock No.:
- 184-1168P
- Mfr. Part No.:
- MJH11020G
- Brand:
- onsemi
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- onsemi
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 30 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 250 V | |
| 封装类型 | TO-218 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 150 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 200 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 最大工作频率 | 1 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 15.2 x 4.9 x 20.35mm | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 30 A | ||
最大集电极-发射极电压 250 V | ||
封装类型 TO-218 | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 150 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 200 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
最大工作频率 1 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 15.2 x 4.9 x 20.35mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
复合晶体管双极功率晶体管设计用于通用放大器、低频开关和电机控制应用。
高直流电流增益 @ 10 ADC -
HFE = 400 分钟（所有类型）
集电极 - 发射极维持电压
VCEO) = 150 V 直流（最小值） MJH11018 、 17
VCEO(SUS) = 200 V 直流（最小值） - MJH11020 、 19
VCEO) = 250 V 直流（最小值） - MJH11022 、 21
低集电极-发射极饱和电压
VCE （ SAT ） = 1.2 V （典型） @ IC = 5.0 A
VCE （ SAT ） = 1.8 V （典型值） @ IC = 10 A
单片结构
HFE = 400 分钟（所有类型）
集电极 - 发射极维持电压
VCEO) = 150 V 直流（最小值） MJH11018 、 17
VCEO(SUS) = 200 V 直流（最小值） - MJH11020 、 19
VCEO) = 250 V 直流（最小值） - MJH11022 、 21
低集电极-发射极饱和电压
VCE （ SAT ） = 1.2 V （典型） @ IC = 5.0 A
VCE （ SAT ） = 1.8 V （典型值） @ IC = 10 A
单片结构