onsemi NPN/PNP数字晶体管, SOT-363, IC 100 mA, VCEO 50 V, VCBO 50 V, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 184-1345P
- 制造商零件编号:
- MUN5333DW1T1G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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| 1500 + | RMB0.487 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 184-1345P
- 制造商零件编号:
- MUN5333DW1T1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 晶体管类型 | NPN/PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 封装类型 | SOT-363 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 最大功率耗散 | 385 mW | |
| 最大集电极-基极电压 | 50 V | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
晶体管类型 NPN/PNP | ||
最大直流集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
封装类型 SOT-363 | ||
安装类型 贴片 | ||
最大功率耗散 385 mW | ||
最大集电极-基极电压 50 V | ||
引脚数目 6 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
此系列数字晶体管设计用于替换单个器件及其外部电阻器偏置网络。偏置电阻晶体管（ BRT ）包含单个晶体管、单片偏置网络由两个电阻器、一个串联基极电阻器和一个基极发射器电阻器组成。BRT 通过将这些组件集成到单个设备中来消除这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和板级空间。
简化电路设计
减少板空间
减少组件计数
这些设备无铅、无卤素/无 BFR
减少板空间
减少组件计数
这些设备无铅、无卤素/无 BFR