onsemi PNP三极管, TO-218, IC -10 A, VCEO -100 V, VCBO 100 V 直流, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 184-4188
- 制造商零件编号:
- BDV64BG
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | RMB15.491 | RMB464.73 |
| 150 + | RMB14.871 | RMB446.13 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 184-4188
- 制造商零件编号:
- BDV64BG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | -10 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | -100 V | |
| 封装类型 | TO-218 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 125 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 100 V 直流 | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V 直流 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 15.2 x 4.9 x 20.35mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 -10 A | ||
最大集电极-发射极电压 -100 V | ||
封装类型 TO-218 | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 125 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 100 V 直流 | ||
最大发射极-基极电压 5 V 直流 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 15.2 x 4.9 x 20.35mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
10A 、 100V NPN 双极功率晶体管用作辅助通用放大器应用中的输出设备。BDV65B (NPN) 和 BDV64B (PNP) 是辅助设备。
高直流电流增益 HFE =1000 （最小） @5 ADC
单片结构，带内置基座发射器并联电阻器
这些器件以无铅封装提供。此处的规格适用于标准和无铅器件
单片结构，带内置基座发射器并联电阻器
这些器件以无铅封装提供。此处的规格适用于标准和无铅器件