onsemi MJD210G 晶体管, TO-252, 4引脚, IC -5 A PnP, VCEO -25 V, VCBO 40 V 直流, 表面安装
- RS 库存编号:
- 184-4310
- 制造商零件编号:
- MJD210G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 75 - 675 | RMB2.556 | RMB191.70 |
| 750 - 1425 | RMB2.453 | RMB183.98 |
| 1500 + | RMB2.351 | RMB176.33 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 184-4310
- 制造商零件编号:
- MJD210G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 晶体管 | |
| 最大直流集电极电流 Idc | -5A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | -25V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 40V 直流 | |
| 最大功耗 Pd | 12.5W | |
| 最低工作温度 | -65°C | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 8V 直流 | |
| 最小直流电流增益 hFE | 10 | |
| 晶体管极性 | PnP | |
| 最大转换频率 ft | 10MHz | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 系列 | MJD210 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 晶体管 | ||
最大直流集电极电流 Idc -5A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo -25V | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 40V 直流 | ||
最大功耗 Pd 12.5W | ||
最低工作温度 -65°C | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 8V 直流 | ||
最小直流电流增益 hFE 10 | ||
晶体管极性 PnP | ||
最大转换频率 ft 10MHz | ||
最高工作温度 150°C | ||
引脚数目 4 | ||
高度 2.38mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.73mm | ||
系列 MJD210 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- VN
双极功率晶体管设计用于低电压、低功耗、高增益音频放大器应用。MJD200 （ NPN ）和 MJD210 （ PNP ）是辅助设备。
Collector-Emitter Staining Voltage - VCEO (SUS) = 25Vdc (MIN)@IC =10 MADC
高直流电流增益 - HFE =70(min)@IC =500MADC=45(Mmin)@IC =2 ADC =10(MIN) @IC =5 ADC
低收集 - 发射器饱和电压 - VCE (SAT) =0.30 VDC （最大） @IC =500 MDC =0.75 VDC （最大） @IC =2.0 ADC
高电流增益带宽产品 - FT =65 MHz （最小） @ IC =100 MADC
低漏电环形结构 - ICBO =100 NADC@额 定 VCB
这些器件是无铅器件
MJD200 是补充 NPN 器件