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小计（1 卷，共 3000 件）*
¥9,906.00
(不含税)
¥11,193.00
(含税)
库存信息目前无法查询
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB3.302 | RMB9,906.00 |
| 6000 - 9000 | RMB3.236 | RMB9,708.00 |
| 12000 + | RMB3.171 | RMB9,513.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-7155
- 制造商零件编号:
- FDMB3800N
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 封装类型 | WDFN | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 最大功率耗散 | 1.6 W | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 尺寸 | 3 x 1.9 x 0.75mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
封装类型 WDFN | ||
安装类型 贴片 | ||
最大功率耗散 1.6 W | ||
引脚数目 8 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
尺寸 3 x 1.9 x 0.75mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
这些 N 通道逻辑电平 MOSFET 采用 Advanced PowerTrench 工艺制造，该工艺经过特别定制，可最大程度地降低电阻，同时保持卓越的开关性能。这些器件非常适合低电压和电池供电的应用，因为这些应用需要低线内功耗和快速开关。
最大 RDS (on) =40 M Ω ， VGS =10 V ， ID =4.8A
最大 RDS (on) =51 M Ω ， VGS =4.5 V ， ID =4.3 A
快速切换速度
栅电荷低
高性能沟槽技术，用于极低的 RDS (on)
高功率和电流处理能力。
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。
最大 RDS (on) =51 M Ω ， VGS =4.5 V ， ID =4.3 A
快速切换速度
栅电荷低
高性能沟槽技术，用于极低的 RDS (on)
高功率和电流处理能力。
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。