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小计（1 卷，共 3000 件）*
¥7,566.00
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最后的 RS 库存
- 最终 12,000 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB2.522 | RMB7,566.00 |
| 6000 - 9000 | RMB2.471 | RMB7,413.00 |
| 12000 + | RMB2.422 | RMB7,266.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-7383
- 制造商零件编号:
- FDMA430NZ
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 封装类型 | MicroFET 2x2 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 最大功率耗散 | 2.4 W | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 2 x 2 x 0.75mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
封装类型 MicroFET 2x2 | ||
安装类型 贴片 | ||
最大功率耗散 2.4 W | ||
引脚数目 6 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 2 x 2 x 0.75mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
此单 N 通道 MOSFET 采用 Advanced Power Trench 工艺设计，可优化特殊 MicroFET 引线框架上的 RDS(ON)@VGS=2.5V 。
RDS (on) =40 M Ω @VGS =4.5 V ， ID =5.0A
RDS (on) =50 M Ω @VGS =2.5 V ，识别号 =4.5 A
薄型 - 最大 0.8 mm - 在新包装中，话筒 2 x 2 mm
HBM ESD 保护级别> 2.5K V （典型）（注释 3 ）
无卤化合物和锑氧化物
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。
RDS (on) =50 M Ω @VGS =2.5 V ，识别号 =4.5 A
薄型 - 最大 0.8 mm - 在新包装中，话筒 2 x 2 mm
HBM ESD 保护级别> 2.5K V （典型）（注释 3 ）
无卤化合物和锑氧化物
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。