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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB8.655 | RMB432.75 |
| 100 - 150 | RMB8.482 | RMB424.10 |
| 200 + | RMB8.313 | RMB415.65 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-7396
- 制造商零件编号:
- FJI5603DTU
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大集电极-发射极电压 | 800 V | |
| 封装类型 | TO-262 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 100 W | |
| 最小直流电流增益 | 20 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大发射极-基极电压 | 12 V | |
| 引脚数目 | 3 + Tab | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 10.29 x 4.83 x 9.65mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大集电极-发射极电压 800 V | ||
封装类型 TO-262 | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 100 W | ||
最小直流电流增益 20 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大发射极-基极电压 12 V | ||
引脚数目 3 + Tab | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 10.29 x 4.83 x 9.65mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
FJI 5603D ： NPN 硅晶体管
广泛的安全操作区域
存储时间差异小
内置自由转动二极管
高压和高速电源开关应用
电子镇流器应用
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。
存储时间差异小
内置自由转动二极管
高压和高速电源开关应用
电子镇流器应用
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。