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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB5.084 | RMB50.84 |
| 20 - 20 | RMB4.93 | RMB49.30 |
| 30 + | RMB4.784 | RMB47.84 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-7894
- 制造商零件编号:
- BDX33BG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大集电极-发射极电压 | 80 V 直流 | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 70 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V 直流 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 10.53 x 4.83 x 9.28mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大集电极-发射极电压 80 V 直流 | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 70 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大发射极-基极电压 5 V 直流 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 10.53 x 4.83 x 9.28mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
10A 、 100V PNP 复合晶体管双极功率晶体管设计用于通用和低速开关应用。BDX33B 、 BDX33C 、 BDX34B 和 BDX34C 是辅助设备。
高直流电流增益 - HFE =2500 （典型值）， IC =4.0
Collector-Emitter 持续电压为 100 madc Vceo(SUS) =80 VDC （最小） BDX33B 、 34B VCEo(SUS) =100 VDC （最小） - BDX33C 、 34C
低收集 - 发射器饱和电压 CE (SAT) = 2.5 VDC （最大）， IC = 3.0 ADC BDX33B 、 33C/34B 、 34C
单片结构，带内置基发射极并联电阻器
TO-220AB 紧凑型封装
提供无铅封装
Collector-Emitter 持续电压为 100 madc Vceo(SUS) =80 VDC （最小） BDX33B 、 34B VCEo(SUS) =100 VDC （最小） - BDX33C 、 34C
低收集 - 发射器饱和电压 CE (SAT) = 2.5 VDC （最大）， IC = 3.0 ADC BDX33B 、 33C/34B 、 34C
单片结构，带内置基发射极并联电阻器
TO-220AB 紧凑型封装
提供无铅封装