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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 200 - 395 | RMB22.706 |
| 400 + | RMB22.028 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-7897P
- 制造商零件编号:
- FQB5N90TM
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 套件 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大功耗 Pd | 158W | |
| 晶体管极性 | N-通道 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 引脚数目 | 2 | |
| 高度 | 4.58mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 套件 | ||
安装类型 表面 | ||
最大功耗 Pd 158W | ||
晶体管极性 N-通道 | ||
最高工作温度 150°C | ||
引脚数目 2 | ||
高度 4.58mm | ||
长度 10.67mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
这种 N 通道增强模式功率 MOSFET 采用专有平面条带和 DMOS 技术制造。这项 Advanced MOSFET 技术经过特别定制，可降低电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量。这些器件适用于 Switched Mode 电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
5.4A 、 900V 、 RDS （开） =2.3 Ω （最大） @VGS =10V ， ID =2.7A
低栅电荷（典型值） 31 常闭）
低 CMSS （典型 13 pF ）
应用
照明
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