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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-7921P
- 制造商零件编号:
- FQD18N20V2TM
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 最大功率耗散 | 83 W | |
| 引脚数目 | 2 + Tab | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.26mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
封装类型 DPAK | ||
安装类型 贴片 | ||
最大功率耗散 83 W | ||
引脚数目 2 + Tab | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.26mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
这种 N 通道增强模式功率 MOSFET 采用专有平面条带和 DMOS 技术制造。这项 Advanced MOSFET 技术经过特别定制,可降低电阻,并提供卓越的开关性能和高雪崩能量。这些器件适用于 Switched Mode 电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
15A , 200V , RDS (接通) =140M Ω (最大) @VGS =10V ,识别号 =7.5A
低栅电荷(典型值) 20nc )
低 CMSS (典型 25pF )
应用
LCD TV
PDP 电视
LED 电视
低栅电荷(典型值) 20nc )
低 CMSS (典型 25pF )
应用
LCD TV
PDP 电视
LED 电视
