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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 20 | RMB5.93 |
| 30 + | RMB5.635 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-7938P
- 制造商零件编号:
- BDX53BG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大集电极-发射极电压 | 80 V 直流 | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 65 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V 直流 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 10.53 x 4.83 x 9.28mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大集电极-发射极电压 80 V 直流 | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 65 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大发射极-基极电压 5 V 直流 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 10.53 x 4.83 x 9.28mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
8A 、 100V 、 65W PNP 复合晶体管双极功率晶体管设计用于通用和低速开关应用。BDX53B 、 BDX53C 、 BDX54B 和 BDX54C 是辅助设备。
高直流电流增益 HFE =2500 （典型值） @ IC =4.0 ADC
收集器发射器持续电压 @100 mADC VCEo(SUS) =80 VDC (MIN) BDX53B 、 54B VCEo(SUS) =100 VDC (MIN) - BDX53C 、 54C
低收集 - 发射器饱和电压 VCE (SAT) = 2.0 VDC （最大） @ IC =3.0 ADC VCE (SAT) =4.0 VDC （最大） @IC =5.0 ADC
具有内置基发射极并联电阻器的单片结构
TO-220AB 紧凑型封装
提供无铅封装
收集器发射器持续电压 @100 mADC VCEo(SUS) =80 VDC (MIN) BDX53B 、 54B VCEo(SUS) =100 VDC (MIN) - BDX53C 、 54C
低收集 - 发射器饱和电压 VCE (SAT) = 2.0 VDC （最大） @ IC =3.0 ADC VCE (SAT) =4.0 VDC （最大） @IC =5.0 ADC
具有内置基发射极并联电阻器的单片结构
TO-220AB 紧凑型封装
提供无铅封装