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Units | Per unit |
|---|---|
| 630 - 1240 | RMB4.94 |
| 1250 + | RMB4.792 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 186-7990P
- Mfr. Part No.:
- FDS8958A
- Brand:
- onsemi
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 尺寸 | 4.9 x 3.9 x 1.58mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 贴片 | ||
最大功率耗散 2 W | ||
引脚数目 8 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
尺寸 4.9 x 3.9 x 1.58mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
这些双 N 通道和 P 通道增强模式功率场效应晶体管采用 Advanced PowerTrench 工艺生产，该工艺经过特别定制，可最大限度地降低电阻，同时保持卓越的开关性能。这些器件非常适合低电压和电池供电的应用，这些应用需要低线电源损耗和快速切换。
问题 1 ： N 信道
7.0 A ， 30 V
RDS (on) =28 M Ω @VGS =10 V
RDS(on) =40m Ω @VGS =4.5 V
问题 2 ： P 信道
-5 A ， -30 V
RDS (on) =52m Ω @VGS=-10V
RDS(on) =80m Ω @VGS=-4.5 V
快速切换速度
高功率和处理能力，采用广泛使用的表面安装封装
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。
7.0 A ， 30 V
RDS (on) =28 M Ω @VGS =10 V
RDS(on) =40m Ω @VGS =4.5 V
问题 2 ： P 信道
-5 A ， -30 V
RDS (on) =52m Ω @VGS=-10V
RDS(on) =80m Ω @VGS=-4.5 V
快速切换速度
高功率和处理能力，采用广泛使用的表面安装封装
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。