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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 190 | RMB6.303 | RMB63.03 |
| 200 - 390 | RMB6.112 | RMB61.12 |
| 400 + | RMB5.931 | RMB59.31 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-8055
- 制造商零件编号:
- FJB102TM
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大集电极-发射极电压 | 100 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 最大功率耗散 | 80 W | |
| 最小直流电流增益 | 200 | |
| 晶体管配置 | 双路 | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 引脚数目 | 2 + Tab | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.58mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大集电极-发射极电压 100 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 贴片 | ||
最大功率耗散 80 W | ||
最小直流电流增益 200 | ||
晶体管配置 双路 | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
引脚数目 2 + Tab | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.58mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
FJB102 ： 100V 高电压达林顿晶体管
高直流电流增益： HFE=1000@VCE=4V, IC=3A （最小值）
低集电极-发射极饱和电压
高收集 - 发射器持续电压
单片结构，带内置基发射极并联电阻器
工业用途
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。
低集电极-发射极饱和电压
高收集 - 发射器持续电压
单片结构，带内置基发射极并联电阻器
工业用途
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。