onsemi PNP三极管, TO-220, IC -5 A, VCEO -80 V, VCBO 80 V 直流, 1 MHz, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 186-8109
- 制造商零件编号:
- TIP32BG
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-8109
- 制造商零件编号:
- TIP32BG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | -5 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | -80 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 40 W | |
| 最小直流电流增益 | 10 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 80 V 直流 | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V 直流 | |
| 最大工作频率 | 1 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 10.53 x 4.83 x 15.75mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 -5 A | ||
最大集电极-发射极电压 -80 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 40 W | ||
最小直流电流增益 10 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 80 V 直流 | ||
最大发射极-基极电压 5 V 直流 | ||
最大工作频率 1 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 10.53 x 4.83 x 15.75mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
双极功率晶体管设计用于通用放大器和开关应用。31 号尖端、 31 号尖端、 31 号尖端、 31 号尖端、（ NPN ）和 32 号尖端、 32 号尖端、 32 号尖端、 32 号尖端、 32 号尖端、（ PNP ）是辅助设备
Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE (SAT) = 1.2V 直流（最大） @ IC =3.0 ADC
Collector-Emitter Staining Voltage - VCEo (SUS) = 60Vdc （最小） - 尖端 31A =80Vdc （最小） - 尖端 31B ，尖端 32B =100Vdc （最小） - 尖端 31C ，尖端 32C
高电流增益带宽产品 FT = 3.0 MHz （最小） @ IC = 500 MADC
紧凑型 TO-220AB 封装
Collector-Emitter Staining Voltage - VCEo (SUS) = 60Vdc （最小） - 尖端 31A =80Vdc （最小） - 尖端 31B ，尖端 32B =100Vdc （最小） - 尖端 31C ，尖端 32C
高电流增益带宽产品 FT = 3.0 MHz （最小） @ IC = 500 MADC
紧凑型 TO-220AB 封装