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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 10 | RMB30.532 |
| 15 + | RMB29.618 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-8112P
- 制造商零件编号:
- TIP35AG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大集电极-发射极电压 | 60 V 直流 | |
| 封装类型 | SOT-93 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 125 W | |
| 最小直流电流增益 | 15 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V 直流 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 15.2 x 4.9 x 20.35mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大集电极-发射极电压 60 V 直流 | ||
封装类型 SOT-93 | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 125 W | ||
最小直流电流增益 15 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大发射极-基极电压 5 V 直流 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 15.2 x 4.9 x 20.35mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
双极功率晶体管设计用于通用功率放大器和开关应用。烙嘴 35A 、烙嘴 35B 、烙嘴 35C (NPN) 、烙嘴 36A 、烙嘴 36B 、烙嘴 36C (PNP) 是辅助设备。
25A 收集器电流
低泄漏电流 ICEO =1.0 mA @30 和 60 V
极好的直流增益 HFE =40 典型 @15A
高电流增益带宽产品 -
提供无铅封装
低泄漏电流 ICEO =1.0 mA @30 和 60 V
极好的直流增益 HFE =40 典型 @15A
高电流增益带宽产品 -
提供无铅封装