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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB5.234 | RMB130.85 |
| 125 + | RMB5.171 | RMB129.28 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-8129
- 制造商零件编号:
- TIP42AG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大集电极-发射极电压 | -60 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 65 W | |
| 最小直流电流增益 | 15 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V 直流 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 10.53 x 4.83 x 15.75mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大集电极-发射极电压 -60 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 65 W | ||
最小直流电流增益 15 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大发射极-基极电压 5 V 直流 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 10.53 x 4.83 x 15.75mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
双极功率晶体管设计用于通用功率放大器和开关应用。烙嘴 41 、烙嘴 41A 、烙嘴 41B 、烙嘴 41C （ NPN ）和烙嘴 42 、烙嘴 42A 、烙嘴 42B 、烙嘴 42C （ PNP ）是辅助设备。
Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE (SAT) = 1.5V （最大） @ IC=6.0 ADC
Collector-Emitter Staining Voltage - VCEo (SUS) = 60Vdc （最小） - 尖端 41A =80Vdc （最小） - 尖端 41B ，尖端 42B =100Vdc （最小） - 尖端 41C ，尖端 42C
高电流增益带宽产品 FT =3MHz （最小） @ IC =500 MADC
紧凑型 TO-220AB 封装
这些是无铅封装
Collector-Emitter Staining Voltage - VCEo (SUS) = 60Vdc （最小） - 尖端 41A =80Vdc （最小） - 尖端 41B ，尖端 42B =100Vdc （最小） - 尖端 41C ，尖端 42C
高电流增益带宽产品 FT =3MHz （最小） @ IC =500 MADC
紧凑型 TO-220AB 封装
这些是无铅封装