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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 195 | RMB26.308 | RMB131.54 |
| 200 - 395 | RMB25.522 | RMB127.61 |
| 400 + | RMB24.752 | RMB123.76 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-8142
- 制造商零件编号:
- FDB38N30U
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 最大功率耗散 | 313 W | |
| 引脚数目 | 2 + Tab | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.58mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
封装类型 D2PAK | ||
安装类型 贴片 | ||
最大功率耗散 313 W | ||
引脚数目 2 + Tab | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.58mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
UnifetTM MOSFET 是一种基于平面条带和 DMOS 技术的高电压 MOSFET 系列。该 MOSFET 经过专门设计，可降低电阻，并提供更佳的开关性能和更高的雪崩能量强度。Unifet Ultra FRFetTM MOSFET 具有极高的主体二极管反向恢复性能。它的 TRR 小于 50 NSec ，反向 DV/DT 抗扰性为 20 V/NSEC ，而普通平面 MOSFET 分别具有 200 NSEC 和 4.5V/NSec 以上的功率。因此， Unifet Ultra FrFET MOSFET 可在某些需要改进 MOSFET 主体二极管性能的应用中，删除额外组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关整流器应用，例如功率因数校正 (PFC) 、平板显示器 (FPD) 电视电源、 ATX 和电子灯镇流器。
RDS (on) =120 M Ω （最大） @VGS =10 V ， ID =19 A
低栅电荷（典型值） 56nc ）
低 CMSS （典型 55pF ）
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。
低栅电荷（典型值） 56nc ）
低 CMSS （典型 55pF ）
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