onsemi MUN5212DW1T1G, VCEO 50 V 套件, VCBO 50 V NPN 100 mA, 表面安装 US, 6引脚
- RS 库存编号:
- 186-8437
- 制造商零件编号:
- MUN5212DW1T1G
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
¥43.05
(不含税)
¥48.65
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 50 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB0.861 | RMB43.05 |
| 250 + | RMB0.851 | RMB42.55 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-8437
- 制造商零件编号:
- MUN5212DW1T1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 套件 | |
| 包装类型 | US | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 50V | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 50V | |
| 最小直流电流增益 hFE | 60 | |
| 最大功耗 Pd | 385mW | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 100mA | |
| 晶体管极性 | NPN | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 0.25V | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 2.2 mm | |
| 标准/认证 | RoHS, Pb-Free | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 套件 | ||
包装类型 US | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 50V | ||
安装类型 表面 | ||
晶体管配置 双 | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 50V | ||
最小直流电流增益 hFE 60 | ||
最大功耗 Pd 385mW | ||
最大连续集电极电流 Ic 100mA | ||
晶体管极性 NPN | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 0.25V | ||
引脚数目 6 | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 2.2 mm | ||
标准/认证 RoHS, Pb-Free | ||
长度 2.2mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
此系列数字晶体管设计用于替换单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个具有单片偏置网络的单晶体管，由两个电阻器、一个系列基电阻器和一个基极发射器电阻器组成。BRT 通过将这些组件集成到单个设备中来消除这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和板级空间。
简化电路设计
减少板级空间
减少组件数量
NSV 前缀，适用于需要独特站点和控制更改要求的汽车和其它应用，支持 PPAP
这些设备无铅、无卤素/无 BFR