onsemi NPN数字晶体管, SOT-363, IC 100 mA, VCEO 50 V, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 186-8437
- 制造商零件编号:
- MUN5212DW1T1G
- 制造商:
- onsemi
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- RS 库存编号:
- 186-8437
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- MUN5212DW1T1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 封装类型 | SOT-363 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 最大功率耗散 | 385 mW | |
| 晶体管配置 | 双路 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型电阻比 | 1 | |
| 底座发射器电阻器 | 22kΩ | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 典型输入电阻器 | 22 kΩ | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
封装类型 SOT-363 | ||
安装类型 贴片 | ||
最大功率耗散 385 mW | ||
晶体管配置 双路 | ||
引脚数目 6 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型电阻比 1 | ||
底座发射器电阻器 22kΩ | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm | ||
典型输入电阻器 22 kΩ | ||
此系列数字晶体管设计用于替换单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个具有单片偏置网络的单晶体管，由两个电阻器、一个系列基电阻器和一个基极发射器电阻器组成。BRT 通过将这些组件集成到单个设备中来消除这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和板级空间。
简化电路设计
减少板级空间
减少组件数量
NSV 前缀，适用于需要独特站点和控制更改要求的汽车和其它应用，支持 PPAP
这些设备无铅、无卤素/无 BFR
减少板级空间
减少组件数量
NSV 前缀，适用于需要独特站点和控制更改要求的汽车和其它应用，支持 PPAP
这些设备无铅、无卤素/无 BFR