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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 750 - 1475 | RMB1.808 |
| 1500 + | RMB1.754 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-8585P
- 制造商零件编号:
- NSS40200LT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大集电极-发射极电压 | -40 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 最大功率耗散 | 540 mW | |
| 最小直流电流增益 | 250 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大发射极-基极电压 | -7 V 直流 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.01mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大集电极-发射极电压 -40 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 贴片 | ||
最大功率耗散 540 mW | ||
最小直流电流增益 250 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大发射极-基极电压 -7 V 直流 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
低 VCE (SAT) 双极晶体管是具有超低饱和电压 VCE (SAT) 和高电流增益功能的微型表面安装器件。这些设计用于低电压、高速切换应用，而经济高效的能源控制非常重要。
高电流、低 VCE (SAT) 、 ESD 强大、高电流增益、高切断频率、薄型封装、线性增益 BETA
NSV 前缀，适用于需要独特站点和控制更改要求的汽车和其它应用，支持 PPAP
优点
提高了电路效率，缩短了电池充电时间，减少了组件数，高频切换，便携式产品更小，无失真
应用
负载开关、电池充电、外部通电晶体管、 DC/DC 转换器、免费的驱动器、电流扩展和低退电调节、阴极荧光灯驱动器、外设驱动器 LED 、电机、继电器
NSV 前缀，适用于需要独特站点和控制更改要求的汽车和其它应用，支持 PPAP
优点
提高了电路效率，缩短了电池充电时间，减少了组件数，高频切换，便携式产品更小，无失真
应用
负载开关、电池充电、外部通电晶体管、 DC/DC 转换器、免费的驱动器、电流扩展和低退电调节、阴极荧光灯驱动器、外设驱动器 LED 、电机、继电器