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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1000 - 1975 | RMB4.33 |
| 2000 + | RMB4.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-8824P
- 制造商零件编号:
- FQT1N60CTF-WS
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 最大功率耗散 | 2.1 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 + Tab | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 6.5 x 3.5 x 1.6mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 贴片 | ||
最大功率耗散 2.1 W | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 + Tab | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
这种 N 通道增强模式功率 MOSFET 采用 Fairchild Semiconductor 公司专有的平面条带和 DMOS 技术制造。这项 Advanced MOSFET 技术经过特别定制，可降低电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量。这些器件适用于 Switched Mode 电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
0.2A ， 600V ， RDS （接通） =9.3 Ω （典型值） @VGS =10 V ， ID =0.1 A
低栅电荷（典型值） 4.8nc ）
低 CMSS （典型 3.5pF ）
应用
照明
低栅电荷（典型值） 4.8nc ）
低 CMSS （典型 3.5pF ）
应用
照明