可享批量折扣
小计 750 件 (以卷装提供)*
¥5,652.75
(不含税)
¥6,387.75
(含税)
有库存
- 8,620 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 750 - 1490 | RMB7.537 |
| 1500 + | RMB7.31 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-9007P
- 制造商零件编号:
- FDC8601
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 封装类型 | TSOT-23 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 最大功率耗散 | 1.6 W | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 3 x 1.7 x 1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
封装类型 TSOT-23 | ||
安装类型 贴片 | ||
最大功率耗散 1.6 W | ||
引脚数目 6 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 3 x 1.7 x 1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
此 N 通道 MOSFET 采用 Advanced Power Trench ® 工艺制造，该工艺已针对 RDS (on) 、开关性能和坚固性进行了优化。
最大 RDS (on) =109 Ω ， VGS =10 V ， ID =2.7 A
最大 RDS (on) =176 M Ω ， VGS = 6V ， ID = 2.1 A
高性能沟槽技术，用于极低的 RDS (on)
高功率和电流处理能力，采用广泛使用的表面安装封装
快速切换速度
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。
最大 RDS (on) =176 M Ω ， VGS = 6V ， ID = 2.1 A
高性能沟槽技术，用于极低的 RDS (on)
高功率和电流处理能力，采用广泛使用的表面安装封装
快速切换速度
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。