制造商编号

Infineon BFP196WNH6327XTSA1 射频双极晶体管, SOT-343, 4引脚, IC 150 mA NPN, VCEO 12 V, VCBO 20 V, 表面安装

RS 库存编号:: 216-8347P
制造商零件编号:: BFP196WNH6327XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon BFP196WNH6327XTSA1 射频双极晶体管, SOT-343, 4引脚, IC 150 mA NPN, VCEO 12 V, VCBO 20 V, 表面安装

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制造商零件编号:: BFP196WNH6327XTSA1
制造商:: Infineon

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	射频双极晶体管
	最大直流集电极电流 Idc	150mA
	最大集电极-发射极电压 Vceo	12V
	包装类型	SOT-343
	安装类型	表面
	晶体管配置	Npn 硅平面外延晶体管
	最大集电极-基极电压 VCBO	20V
	晶体管极性	NPN
	最大功耗 Pd	700mW
	最大发射极-基极电压 VEBO	2V
	最大转换频率 ft	7.5GHz
	最低工作温度	-55°C
	最小直流电流增益 hFE	70
	引脚数目	4
	最高工作温度	150°C
	系列	BFP196WN
	标准/认证	JEDEC47/20/22
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型射频双极晶体管
	最大直流集电极电流 Idc 150mA
	最大集电极-发射极电压 Vceo 12V
	包装类型 SOT-343
	安装类型表面
	晶体管配置 Npn 硅平面外延晶体管
	最大集电极-基极电压 VCBO 20V
	晶体管极性 NPN
	最大功耗 Pd 700mW
	最大发射极-基极电压 VEBO 2V
	最大转换频率 ft 7.5GHz
	最低工作温度 -55°C
	最小直流电流增益 hFE 70
	引脚数目 4
	最高工作温度 150°C
	系列 BFP196WN
	标准/认证 JEDEC47/20/22
	汽车标准否

Datasheet - BFP196WNH6327XTSA1

Infineon NPN硅平面外延晶体管，采用4引脚双发射极SOT343封装，适用于低噪声、低失真宽带放大器。这款射频晶体管得益于在射频元件领域的长期经验积累，兼具易用性与稳定量产性，达到标杆级的品质与可靠性。

转换频率为 7.5 ghz

Infineon BFP196WNH6327XTSA1 射频双极晶体管, SOT-343, 4引脚, IC 150 mA NPN, VCEO 12 V, VCBO 20 V, 表面安装

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