制造商编号

Renesas Electronics HFA3096BZ 晶体管, SOIC, 16引脚, IC 65 mA NPN + PNP, VCEO 8 V, 表面安装

RS 库存编号:: 235-5230P
制造商零件编号:: HFA3096BZ
制造商:: Renesas Electronics

Renesas Electronics HFA3096BZ 晶体管, SOIC, 16引脚, IC 65 mA NPN + PNP, VCEO 8 V, 表面安装

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RS 库存编号:: 235-5230P
制造商零件编号:: HFA3096BZ
制造商:: Renesas Electronics

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Renesas Electronics
	产品类型	晶体管
	最大直流集电极电流 Idc	65mA
	最大集电极-发射极电压 Vceo	8V
	包装类型	SOIC
	安装类型	表面
	晶体管配置	双
	最大功耗 Pd	150mW
	最低工作温度	-55°C
	晶体管极性	NPN + PNP
	引脚数目	16
	最高工作温度	125°C
	高度	1.75mm
	系列	HFA3096
	长度	9.9mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Renesas Electronics
	产品类型晶体管
	最大直流集电极电流 Idc 65mA
	最大集电极-发射极电压 Vceo 8V
	包装类型 SOIC
	安装类型表面
	晶体管配置双
	最大功耗 Pd 150mW
	最低工作温度 -55°C
	晶体管极性 NPN + PNP
	引脚数目 16
	最高工作温度 125°C
	高度 1.75mm
	系列 HFA3096
	长度 9.9mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - HFA3096BZ

Renesas Electronics HFA3096 是超高频晶体管阵列，采用 Renesas 互补双极 UHF-1 工艺制造。HFA3096 是 NPN/PNP 组合。可访问各个晶体管的每个接线端子，以实现最大的应用灵活性。这些晶体管阵列的单片结构提供了五个晶体管的紧密电气和热匹配

NPN 晶体管 (ft) 8GHz

NPN 电流增益 (HFE) 为 130

NPN 早期电压 (VA) 为 50V

PNP 晶体管 (ft) 为 5.5GHz

PNP 电流增益 (HFE) 为 60

PNP 早期电压 (VA) 为 20V

1.0GHz 时的噪声值 (50Ω μ s) 为 3.5dB

集电极到集电极泄漏 <1pA

晶体管之间完全隔离

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