制造商编号

Infineon NPN射频双极晶体管, TSLP-3-9, 3针, IDC 35 mA, VCEO 2.25 V, VCBO 2.9 V, BFR840L3RHESD系列

RS 库存编号:: 258-0649
制造商零件编号:: BFR840L3RHESDE6327XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon NPN射频双极晶体管, TSLP-3-9, 3针, IDC 35 mA, VCEO 2.25 V, VCBO 2.9 V, BFR840L3RHESD系列

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RS 库存编号:: 258-0649
制造商零件编号:: BFR840L3RHESDE6327XTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	射频三极管
	最大直流集电极电流 Idc	35mA
	最大集电极-发射极电压 Vceo	2.25V
	包装类型	TSLP-3-9
	安装类型	表面
	晶体管配置	NPN
	最大集电极-基极电压 VCBO	2.9V
	最大转换频率 ft	75GHz
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	75mW
	晶体管极性	NPN
	最小直流电流增益 hFE	150
	引脚数目	3
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	系列	BFR840L3RHESD
	宽度	0.6mm
	高度	0.31mm
	长度	1mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型射频三极管
	最大直流集电极电流 Idc 35mA
	最大集电极-发射极电压 Vceo 2.25V
	包装类型 TSLP-3-9
	安装类型表面
	晶体管配置 NPN
	最大集电极-基极电压 VCBO 2.9V
	最大转换频率 ft 75GHz
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 75mW
	晶体管极性 NPN
	最小直流电流增益 hFE 150
	引脚数目 3
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	系列 BFR840L3RHESD
	宽度 0.6mm
	高度 0.31mm
	长度 1mm
	汽车标准否

Datasheet - BFR840L3RHESDE6327XTSA1

Infineon SiGe C NPN 射频双极晶体管是一种分立射频异接双极晶体管,带集成 ESD 保护,适用于 5 GHz 频段应用。

特别适用于低电压应用,例如 VCC = 1.2 V 和 1.8 V

薄型和小尺寸无铅封装

Infineon NPN射频双极晶体管, TSLP-3-9, 3针, IDC 35 mA, VCEO 2.25 V, VCBO 2.9 V, BFR840L3RHESD系列

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