Infineon 射频双极晶体管, TSLP-3-9, 3引脚, IC 35 mA NPN, VCEO 2.25 V, VCBO 2.9 V, 表面安装

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RS 库存编号:
258-0649
制造商零件编号:
BFR840L3RHESDE6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

射频双极晶体管

最大直流集电极电流 Idc

35mA

最大集电极-发射极电压 Vceo

2.25V

包装类型

TSLP-3-9

安装类型

表面

晶体管配置

NPN

最大集电极-基极电压 VCBO

2.9V

最大功耗 Pd

75mW

最大转换频率 ft

75GHz

最低工作温度

-55°C

最小直流电流增益 hFE

150

晶体管极性

NPN

最高工作温度

150°C

引脚数目

3

标准/认证

RoHS

长度

1mm

宽度

0.6 mm

系列

BFR840L3RHESD

高度

0.31mm

汽车标准

Infineon SiGe C NPN 射频双极晶体管是一种分立射频异接双极晶体管,带集成 ESD 保护,适用于 5 GHz 频段应用。

特别适用于低电压应用,例如 VCC = 1.2 V 和 1.8 V

薄型和小尺寸无铅封装