Infineon 射频双极晶体管, TSLP-3-9, 3引脚, IC 35 mA NPN, VCEO 2.25 V, VCBO 2.9 V, 表面安装
- RS 库存编号:
- 258-0650P
- 制造商零件编号:
- BFR840L3RHESDE6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0650P
- 制造商零件编号:
- BFR840L3RHESDE6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 射频双极晶体管 | |
| 最大直流集电极电流 Idc | 35mA | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 2.25V | |
| 包装类型 | TSLP-3-9 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 晶体管配置 | NPN | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 2.9V | |
| 晶体管极性 | NPN | |
| 最小直流电流增益 hFE | 150 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大转换频率 ft | 75GHz | |
| 最大功耗 Pd | 75mW | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.31mm | |
| 宽度 | 0.6 mm | |
| 长度 | 1mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 系列 | BFR840L3RHESD | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 射频双极晶体管 | ||
最大直流集电极电流 Idc 35mA | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 2.25V | ||
包装类型 TSLP-3-9 | ||
安装类型 表面 | ||
晶体管配置 NPN | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 2.9V | ||
晶体管极性 NPN | ||
最小直流电流增益 hFE 150 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大转换频率 ft 75GHz | ||
最大功耗 Pd 75mW | ||
引脚数目 3 | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.31mm | ||
宽度 0.6 mm | ||
长度 1mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
系列 BFR840L3RHESD | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon SiGe C NPN 射频双极晶体管是一种分立射频异接双极晶体管,带集成 ESD 保护,适用于 5 GHz 频段应用。
特别适用于低电压应用,例如 VCC = 1.2 V 和 1.8 V
薄型和小尺寸无铅封装