Infineon BFR181E6327HTSA1 三极管, SOT-23, 3引脚, IC 20 mA NPN, VCEO 20 V, VCBO 20 V, 表面安装
- RS 库存编号:
- 258-7710
- Distrelec 货号:
- 304-40-490
- 制造商零件编号:
- BFR181E6327HTSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB1.337 | RMB33.43 |
| 50 - 75 | RMB1.297 | RMB32.43 |
| 100 - 225 | RMB1.232 | RMB30.80 |
| 250 - 975 | RMB1.146 | RMB28.65 |
| 1000 + | RMB1.042 | RMB26.05 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-7710
- Distrelec 货号:
- 304-40-490
- 制造商零件编号:
- BFR181E6327HTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 三极管 | |
| 最大直流集电极电流 Idc | 20mA | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 20V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 晶体管配置 | NPN | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 20V | |
| 最大转换频率 ft | 3GHz | |
| 最大功耗 Pd | 175mW | |
| 晶体管极性 | NPN | |
| 最小直流电流增益 hFE | 70 | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 1mm | |
| 系列 | BAR63 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 三极管 | ||
最大直流集电极电流 Idc 20mA | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 20V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
晶体管配置 NPN | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 20V | ||
最大转换频率 ft 3GHz | ||
最大功耗 Pd 175mW | ||
晶体管极性 NPN | ||
最小直流电流增益 hFE 70 | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
引脚数目 3 | ||
最高工作温度 125°C | ||
长度 2.9mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 1mm | ||
系列 BAR63 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon NPN 硅射频晶体管用于 0.5 mA 至 12 mA 集电流时的低噪声、高增益宽带放大器。此晶体管用于射频前端和无线通信中的放大器和振荡器应用。
符合 RoHS 标准的无铅封装
VCEO 最大值为 12 V