Infineon BFR181E6327HTSA1 双极晶体管, SOT-23, 3引脚, IC 20 mA NPN, VCEO 20 V, VCBO 20 V, 表面安装

可享批量折扣

小计(1 包,共 25 件)*

¥32.45

(不含税)

¥36.675

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 2,650 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每包*
25 - 25RMB1.298RMB32.45
50 - 75RMB1.259RMB31.48
100 - 225RMB1.196RMB29.90
250 - 975RMB1.112RMB27.80
1000 +RMB1.012RMB25.30

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
258-7710
Distrelec 货号:
304-40-490
制造商零件编号:
BFR181E6327HTSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

双极晶体管

最大直流集电极电流 Idc

20mA

最大集电极-发射极电压 Vceo

20V

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

晶体管配置

NPN

最大集电极-基极电压 VCBO

20V

最大转换频率 ft

3GHz

最大功耗 Pd

175mW

最低工作温度

-55°C

最大发射极-基极电压 VEBO

2V

最小直流电流增益 hFE

70

晶体管极性

NPN

引脚数目

3

最高工作温度

125°C

宽度

2.4 mm

长度

2.9mm

高度

1mm

系列

BAR63

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon NPN 硅射频晶体管用于 0.5 mA 至 12 mA 集电流时的低噪声、高增益宽带放大器。此晶体管用于射频前端和无线通信中的放大器和振荡器应用。

符合 RoHS 标准的无铅封装

VCEO 最大值为 12 V