Infineon BFP640H6327XTSA1 射频双极晶体管, SOT-343, 4引脚, IC 50 mA NPN, VCEO 4.1 V, VCBO 13 V, 表面安装
- RS 库存编号:
- 259-1442
- Distrelec 货号:
- 304-40-488
- 制造商零件编号:
- BFP640H6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
¥53.85
(不含税)
¥60.85
(含税)
有库存
- 5,300 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB2.154 | RMB53.85 |
| 50 - 75 | RMB2.089 | RMB52.23 |
| 100 - 225 | RMB2.047 | RMB51.18 |
| 250 - 975 | RMB2.006 | RMB50.15 |
| 1000 + | RMB1.966 | RMB49.15 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 259-1442
- Distrelec 货号:
- 304-40-488
- 制造商零件编号:
- BFP640H6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 射频双极晶体管 | |
| 最大直流集电极电流 Idc | 50mA | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 4.1V | |
| 包装类型 | SOT-343 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 晶体管配置 | NPN | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 13V | |
| 最大转换频率 ft | 42GHz | |
| 最大功耗 Pd | 200mW | |
| 最小直流电流增益 hFE | 110 | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 1.2V | |
| 晶体管极性 | NPN | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 2.1 mm | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 系列 | BFP | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 2mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 射频双极晶体管 | ||
最大直流集电极电流 Idc 50mA | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 4.1V | ||
包装类型 SOT-343 | ||
安装类型 表面 | ||
晶体管配置 NPN | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 13V | ||
最大转换频率 ft 42GHz | ||
最大功耗 Pd 200mW | ||
最小直流电流增益 hFE 110 | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 1.2V | ||
晶体管极性 NPN | ||
最低工作温度 -55°C | ||
引脚数目 4 | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 2.1 mm | ||
高度 0.9mm | ||
系列 BFP | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 2mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 硅钼碳 (SiGe:C) NPN 异接通宽带双极射频晶体管 (HBT),采用塑料双发射器标准封装,带可见引线。该设备配有内部保护电路,可强化耐 ESD 和高射频输入功率的坚固性。该设备结合了坚固性和非常高的射频增益以及低工作电流时的最低噪声数字,适用于各种无线应用。BFP640ESD 特别适用于降低功耗是关键要求的便携式电池供电应用。器件设计支持高达 4.1 V 的集电极电压。
坚固的高性能低噪声放大器,基于 Infineon 的可靠
由于集成保护电路,具有 2 kV ESD 坚固性 (HBM)
高最大射频输入功率为 21 dBm